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Le informazioni sulla didattica, sulla ricerca e sui compiti istituzionali riportate in questa pagina sono certificate dall'Ateneo; ulteriori informazioni, redatte a cura del docente, sono disponibili sulla pagina web personale e nel curriculum vitae indicati nella scheda.
Informazioni sul docente
DocenteMonzio Compagnoni Christian
QualificaProfessore ordinario a tempo pieno
Dipartimento d'afferenzaDipartimento di Elettronica, Informazione e Bioingegneria
Settore Scientifico DisciplinareING-INF/01 - Elettronica
Curriculum VitaeScarica il CV (141.14Kb - 16/05/2023)
OrcIDhttps://orcid.org/0000-0001-9820-6709

Contatti
Orario di ricevimentoOrario di ricevimento non ancora disponibile
E-mailchristian.monzio@polimi.it
Pagina web redatta a cura del docente--

Fonte dati: RE.PUBLIC@POLIMI - Research Publications at Politecnico di Milano

Elenco delle pubblicazioni e dei prodotti della ricerca per l'anno 2024 (Mostra tutto | Nascondi tutto)
Tipologia Titolo Pubblicazione/Prodotto
Articoli su riviste
First Evidence of SET-Like Behavior of 3-D NAND Flash Cells in the Deep-Cryogenic Regime (Mostra >>)


Elenco delle pubblicazioni e dei prodotti della ricerca per l'anno 2023 (Mostra tutto | Nascondi tutto)
Tipologia Titolo Pubblicazione/Prodotto
Contributi su volumi (Capitolo o Saggio)
Memristive/CMOS devices for neuromorphic applications (Mostra >>)
Contributo in Atti di convegno
Depassivation of Traps in the Polysilicon Channel of 3D NAND Flash Arrays: Impact on Cell High-Temperature Data Retention (Mostra >>)
Modeling the Temperature Dependence of TDDB in Galvanic Isolators Based on Polymeric Dielectrics (Mostra >>)
Understanding the impact of polysilicon percolative conduction on 3D NAND variability (Mostra >>)
Articoli su riviste
Analysis of High-Temperature Data Retention in 3D Floating-Gate NAND Flash Memory Arrays (Mostra >>)
Electrode-dependent asymmetric conduction mechanisms in K0.5Na0.5NbO3 micro-capacitors (Mostra >>)
Reservoir Computing with Charge-Trap Memory Based on a MoS2 Channel for Neuromorphic Engineering (Mostra >>)


Elenco delle pubblicazioni e dei prodotti della ricerca per l'anno 2022 (Mostra tutto | Nascondi tutto)
Tipologia Titolo Pubblicazione/Prodotto
Contributo in Atti di convegno
Investigation of the Statistical Spread of the Time-Dependent Dielectric Breakdown in Polymeric Dielectrics for Galvanic Isolation (Mostra >>)
Low-current, highly linear synaptic memory device based on MoS2 transistors for online training and inference (Mostra >>)
Recent Advances in the Understanding of Random Telegraph Noise in 3–D NAND Flash memories (Mostra >>)
Articoli su riviste
Modeling of ferroelectric tunnel junctions based on the Pt/BaTiO3/Nb:SrTiO3 stack (Mostra >>)
Random Telegraph Noise Intensification After High-Temperature Phases in 3-D NAND Flash Arrays (Mostra >>)
Time Dynamics of the Down-Coupling Phenomenon in 3-D NAND Strings (Mostra >>)


Elenco delle pubblicazioni e dei prodotti della ricerca per l'anno 2021 (Mostra tutto | Nascondi tutto)
Tipologia Titolo Pubblicazione/Prodotto
Contributo in Atti di convegno
High-Density Solid-State Storage: A Long Path to Success (Mostra >>)
Articoli su riviste
A Noise-Resilient Neuromorphic Digit Classifier Based on NOR Flash Memories with Pulse-Width Modulation Scheme (Mostra >>)
A comparison of modeling approaches for current transport in polysilicon‑channel nanowire and macaroni GAA MOSFETs (Mostra >>)
Random telegraph noise in 3d nand flash memories (Mostra >>)


Elenco delle pubblicazioni e dei prodotti della ricerca per l'anno 2020 (Mostra tutto | Nascondi tutto)
Tipologia Titolo Pubblicazione/Prodotto
Contributi su volumi (Capitolo o Saggio)
RTN and Its Intrinsic Interaction with Statistical Variability Sources in Advanced Nano-Scale Devices: A Simulation Study (Mostra >>)
Random Telegraph Noise in Flash Memories (Mostra >>)
Articoli su riviste
Characterization and Modeling of Current Transport in Metal/Ferroelectric/Semiconductor Tunnel Junctions (Mostra >>)
Investigation of the Meyer-Neldel rule in Si MOSFETs (Mostra >>)
Memristive and CMOS Devices for Neuromorphic Computing (Mostra >>)
Variability Effects in Nanowire and Macaroni MOSFETs—Part I: Random Dopant Fluctuations (Mostra >>)
Variability Effects in Nanowire and Macaroni MOSFETs—Part II: Random Telegraph Noise (Mostra >>)
manifesti v. 3.5.17 / 3.5.17
Area Servizi ICT
18/04/2024